P是占比成效，如何提高PI薄膜附著力I是積分成效，D是求微分成效。 PID不光具有快速快速的占比成效，而且還具有積分成效的差錯(cuò)清除及其求微分成效的高級(jí)調(diào)整作用。 當(dāng)出現(xiàn)差錯(cuò)階躍時(shí)，導(dǎo)函數(shù)將馬上起成效以抑止這類差錯(cuò)彈跳； 該占比還具有清除差錯(cuò)和削減差錯(cuò)力度的成效。 由于占比效用是長(zhǎng)久且占主導(dǎo)性的操控規(guī)律性，因此可以使內(nèi)腔的真空度更為平穩(wěn)； 積分成效漸漸擺脫了差錯(cuò)。
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這種用于等離子清潔器表面處理機(jī)的低溫蝕刻方法源于蝕刻高縱橫比硅結(jié)構(gòu)的需要，PI薄膜附著力問(wèn)題主要用于形成非常高縱橫比的硅材料結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)廣泛用于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的前端工藝和后端封裝的硅通孔（TSV）。近年來(lái)研究表明，等離子清洗機(jī)表面處理機(jī)的低溫等離子刻蝕不僅可以形成所需的特殊材料結(jié)構(gòu)，而且可以減少刻蝕過(guò)程中的等離子損傷（plasma-induced damage，PID）。
在FN電流的作用下，如何提高PI薄膜附著力柵氧化層和界面都會(huì)產(chǎn)生缺陷，產(chǎn)生的損傷會(huì)引起IC成品率降低，并會(huì)加速熱載流子退化和TDDB效應(yīng)，引起器件長(zhǎng)期可靠性問(wèn)題。在集成電路制造技術(shù)中，充電效應(yīng)引起的柵氧化層退化是一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題。 引起PID的機(jī)理主要有以下幾種： (1)等離子體密度。高的等離子體密度意味著更大的電流在充電導(dǎo)致?lián)p傷的模型下，更高的等離子體密度更容易引起PID問(wèn)題。
隨著社會(huì)的發(fā)展及技術(shù)的需要，如何提高PI薄膜附著力工業(yè)生產(chǎn)對(duì)生產(chǎn)材料的要求也不斷增強(qiáng)，如在微電子封裝工藝中，電子設(shè)備的小型化、高精度，對(duì)封裝工藝的可靠性提出了相應(yīng)的要求，高質(zhì)量的封裝技術(shù)可以提高電子產(chǎn)品的使用壽命。在線式等離子清洗機(jī)...
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