例如，氧化硅表面活化濕法處理步驟雖然簡單，但結(jié)果含有C、O、F等污染物；高溫處理能有效去除C、O污染物，但處理溫度有待進一步優(yōu)化，后續(xù)工藝兼容性差；等離子體處理能有效去除含O和F的污染物，但處理溫度和時間不當會導致表面離子的破壞，造成碳化硅表面重構(gòu)。根據(jù)上述表面處理方法的特點，采用濕法清洗和氧氬等離子體處理晶圓，直接將碳化硅熔點與低溫低壓熱壓碳化硅熔點進行比較；粘接，并達到理想的粘接效果。
因此，氧化硅表面活化盡量減少表面摩擦阻力是提高速度和節(jié)約能源的主要途徑。近年來，在等離子表面處理機上使用超疏水涂層降低超疏水表面阻力的研究引起了研究人員的關(guān)注。例如，使用超疏水硅表面的減阻研究發(fā)現(xiàn)，減阻可以達到 30% 到 40%。主要采用改性硅橡膠和聚氨酯樹脂，在等離子表面處理機的超疏水涂層中加入低表面能無機或有機填料。在低流速下，最大表面減阻可以達到 30%，但由于表面粗糙度的影響，隨著流量增加，這種減阻效果較差。
等離子體處理的RHEED圖像呈條紋狀，氧化硅表面活化表明表面非常平坦。傳統(tǒng)濕法處理碳化硅表面的主要雜質(zhì)是碳和氧。這些雜質(zhì)在低溫下與H原子反應(yīng)，并以CH和H2O的形式從表面除去。等離子體處理后的表面氧含量明顯低于傳統(tǒng)的濕法清洗。已知，表面雜質(zhì)C的存在是半導體MOS器件制造或歐姆接觸的主要障礙。如果經(jīng)過氫等離子體表面處理裝置處理后，Cls的高能尾部消失，即cc-H污染消失，則更容易制備高性能歐姆接觸和MOS器件。
1)等離子清洗機...
