等離子體刻蝕技術(shù)是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)器件制造等領(lǐng)域的重要工具。它的基本原理是利用化學(xué)反應(yīng)氣體產(chǎn)生化學(xué)活性基團和離子，經(jīng)電場加速的高能離子轟擊被刻蝕的材料，損傷表面，提高被刻蝕材料的表面活性，并加速與活性蝕刻反應(yīng)基團的相互作用反應(yīng)速率，從而獲得較高的蝕刻速率。這種化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng)的相互促進，使反應(yīng)離子刻蝕具有干法刻蝕所不具備的優(yōu)點。

在半導(dǎo)體制造中，等離子刻蝕技術(shù)主要應(yīng)用于制備多層膜、輸送掩模、清除殘留物等領(lǐng)域。此外，等離子體刻蝕技術(shù)還廣泛應(yīng)用于其他半導(dǎo)體制程，如濺射和等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD)。

值得注意的是，理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：各向異性刻蝕（即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕），良好的刻蝕選擇性（即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多），以及加工批量大，控制容易，成本低，對環(huán)境污染少，適用于工業(yè)生產(chǎn)。

刻蝕方法主要為兩大類：

一、濕式刻蝕

——化學(xué)刻蝕

——電解刻蝕

二、干式刻蝕

——離子束濺射刻蝕

——反應(yīng)離子刻蝕

——等離子體刻蝕

金徠等離子刻蝕設(shè)備

等離子技術(shù)蝕刻的應(yīng)用范圍：

部件表面被激發(fā)的工藝氣體蝕刻。通過精確濺射，表面材料被剝離，轉(zhuǎn)變成氣相并被排出。 這樣， 材料的表面積增大并更易濕潤。 蝕效應(yīng)應(yīng)用于印刷、粘接、涂裝前的預(yù)處理以及使材料粗糙化。

PTFE等離子處理前

PTFE等離子處理前

應(yīng)用